由于三星在3nm制程节点率先使用Gate-all-around FETs(GAAFET)晶体管后,一直被良品率问题困扰,不少人担心台积电(TSMC)在2nm制程节点引入新的晶体管架构也会面临相同的困境。不过随着2nm工艺量产工作的推进,台积电似乎变得越来越有信心。

台积电试产2nm工艺:效果优于预期,良品率超过60%

据Wccftech报道,台积电已经对2nm工艺进行了试产,良品率超过了60%。起步阶段就有这么高的良品率,效果超出了大家的预期,而且还要很大的上升空间,台积电可能会以更快的速度完成挑战,将良品率提升至70%以上,为2nm工艺大规模量产留出足够的时间。

台积电董事长兼首席执行官魏哲家在今年10月时曾表示,未来五年内台积电有望实现连续、健康的增长,客户对于2nm的询问多于3nm,看起来更受客户的欢迎。2nm不但能复制3nm的成功,甚至有超越的势头。

为了应对市场对2nm工艺技术的强劲需求,台积电持续对该制程节点进行投资,不但加快了2nm产线的建设,并进一步扩大了产能规划。预计台积电2025年资本支出将再次飙升,达到340亿至380亿美元之间,有机会超过2022年创造的362.9亿美元峰值。

台积电计划N2工艺于2025年下半年进入量产阶段,客户最快在2026年前就能收到首批采用N2工艺制造的芯片,首个客户预计是苹果。