经过漫长的等待，三星解决了HBM3E一系列的问题后，终于在英伟达的测试中取得了进展。不过随着市场行情的转变，近期陷入困境的三星似乎已错过市场机会，继Exynos系列芯片组受到良品率困扰后，存储器也成为了糟糕良品率的下一个受害者。
据ZDNet报道，三星计划在2025年年底之前，降低HBM的最大产能目标，幅度在10%以上，可能会从最初规划的月产能20万片晶圆，调低至17万片晶圆，对现有的设施投资计划也采取了相对谨慎的态度。
过去一年多里，随着人工智能（AI）需求的带动，HBM产品成为了存储器厂商的主要投资项目，三星也不例外，认为这是一个难得的市场机遇，能缩小与竞争对手在HBM细分市场的差距。为此三星制定了雄心勃勃的计划，不但加大了HBM3、HBM3E和HBM4的开发力度，而且还打算扩张产能，并将普通DRAM的产能转移到HBM产品上。三星预计，其HBM产品的销售额将在2024年下半年增长3到5倍。
然而情况在过去几个月里发生了变化，三星的HBM产品销售不佳，为此逐渐放慢了步伐。有消息人士透露，只有确认向英伟达稳定供应HBM3E后，才会进一步展开投资讨论。三星的HBM3和8层堆叠的HBM3E一直没有达到稳定的良品率，想快速转向12层堆叠HBM3E也不太可能在较短时间内改善良品率。
目前英伟达的B200和GB200，以及AMD的Instinct MI325X/MI350系列等关键产品均打算采用12层堆叠HBM3E，这些系统对稳定性的要求也更高，加上需要大规模生产，增加了不确定性，情况也变得更为复杂。在HBM3E高需求推动下，预计SK海力士的营业利润将大幅度增加，可能会超过三星半导体部门。
