IT之家 10 月 8 日消息,参考IT之家此前报道,新存科技 9 月 23 日发布了其自主研发的国产首款最大容量新型 3D 存储器芯片 NM101。该新品采用先进工艺制程结合三维堆叠技术,单芯片容量达 64Gb。
新存科技官网现在公布了 NM101 芯片的参数情况:
可以看到 NM101 采用 SLC 存储单元类型,最高 IO 速度(I/O 接口速率)3200MT/s,总线位宽为 ×8,IO 为 1.2V,支持 0℃~+70℃ 运行温度。
新存科技表示 NM101 基于新型材料电阻变化原理,支持随机读写,相比同类产品读写速度均可提升 10 倍以上、寿命也可增加 5 倍,可搭配业界合作伙伴的控制芯片,应用于企业级或消费级高性能存储产品的开发。
另据《湖北日报》报道,新存科技的 NM101 芯片属于相变存储器(PCM,Phase Change Memory),这点与英特尔、美光合作开发的 3D XPoint 相似:
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