IT之家 12 月 4 日消息,长光辰芯(Gpixel)于 12 月 2 日发布公告,宣布推出两款高速、高灵敏度背照式 TDI CMOS 图像传感器:GLT5008BSI 和 GLT5016BSI。

此两款产品采用更优化的设计,具有更高的行频、更高量子效率,更好的片上集成度,更加匹配半导体晶圆检测、FPD 检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。

IT之家援引新闻稿,GLT5008BSI 和 GLT5016BSI 基于相同的架构进行设计,采用 5 μm 的电荷域 TDI 像素设计,片上集成两个谱段,积分级数分别为 256 级 + 32 级。

GLT5008BSI 有效分辨率为 8208 像素,支持 10 bit 和 12 bit ADC 输出,最高行频分别可达 1M Hz 和 500k Hz;GLT5016BSI 有效分辨率为 16416 像素,其最高行频可达到 500k Hz。

高速、高灵敏度:长光辰芯发布 8K/16K背照式CMOS TDI 图像传感器

两款产品最高输出数据率分别为 86.4 Gbps 和 103.7 Gbps, 均可采用 100GiGE 相机接口进行数据传输。

两款产品均面向下一代更高通量、更高检出率的基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用而开发,助力高端仪器装备行业产业升级。

GLT5008BSI / GLT5016BSI 根据不同应用进行 ARC 优化设计,分别为紫外谱段优化设计(UV)以及可见光优化设计(VIS)。

在 UV 版本下,其在 300 nm 以下的峰值量子效率可达 80% 以上;在 266 nm 下,其量子效率可到 65% 以上;在 VIS 版本下,峰值量子效率可高达 92.4% @ 440 nm。此外,除以上两种 ARC 外,也可根据用户需求,提供不同谱段 ARC 定制服务。

高速、高灵敏度:长光辰芯发布 8K/16K背照式CMOS TDI 图像传感器

GLT5016BSI:16K 背照式 CMOS TDI 图像传感器

GLT5016BSI 是一款背照式(BSI)、时延积分(TDI)、电荷域 CMOS 图像传感器,水平方向有效分辨率为 16416,像素尺寸为 5 μm,最高满阱 15 ke⁻。

该传感器具有优异的 anti-blooming 能力以及大于 0.99996 的电荷转移效率(CTE),最高级数支持 256 级,最高行频可达 500 kHz,在最高行频情况下功耗小于 6.4 W,为确保高可靠性和良好的散热性能,其采用 415 引脚的 μPGA 陶瓷封装。

GLT5016BSI 具备高分辨率、高灵敏度、高帧频、低功耗等优异性能,同时片上集成了时序控制模块和电源管理模块,支持通道合并、可选扫描方向等功能,为基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用带来更加准确、简单、高效的解决方案。

GLT5008BSI:8K 背照式 CMOS TDI 图像传感器

GLT5008BSI 是一款背照式(BSI)、时延积分(TDI)、电荷域 CMOS 图像传感器,水平方向有效分辨率为 8208,像素尺寸为 5 μm,最高满阱 17 ke⁻。

该传感器具有优异的 anti-blooming 能力以及大于 0.99993 的电荷转移效率(CTE),峰值量子效率为 93.4% @ 440 nm,得益于先进的背照式工艺和紫外量子效率优化工艺,在 266 nm 处的量子效率大于 63.9%。